DARK-CAPACITANCE TRANSIENTS IN MIS TUNNEL DIODESDAHLKE WE; SHIMER JA.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 5; PP. 465-472; BIBL. 7 REF.Article

CONCEPTION DE CIRCUITS DE COMMUTATION A DIODE TUNNELPATRUTESCU M.1976; STUD. CERC. FIZ.; ROMAN.; DA. 1976; VOL. 28; NO 3; PP. 277-306; ABS. ANGL.; BIBL. 23 REF.Article

TEMPERATURE DEPENDENCE OF CURRENT FLOWS IN NONDEGENERATE MIS TUNNEL DIODES.SHEWCHUN J; GREEN MA.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 12; PP. 5179-5184; BIBL. 15 REF.Article

THE VIABLE TUNNEL-DIODE AMPLIFIER.CHASEK N.1975; MICROWAVE J.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 18; NO 2; PP. 63-65Article

METHODE D'ANALYSE DE CIRCUITS A DIODE TUNNELPATRUTESCU M.1975; STUD. CERC. FIZ.; ROMAN.; DA. 1975; VOL. 27; NO 8; PP. 787-818; ABS. ANGL.; BIBL. 40 REF.Article

DEPENDENCE OF ELECTRONIC TUNNELLING PROBABILITY ON IMPURITY DIFFUSION LENGTH IN TUNNEL DIODES.GEORGE PJ.1974; INDIAN J. PHYS.; INDIA; DA. 1974; VOL. 48; NO 6; PP. 561-563; BIBL. 8 REF.Article

GENERATEUR D'IMPULSIONSVAKHRIN MI.1979; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1979; NO 4; PP. 161-162; BIBL. 4 REF.Article

FAST TUNNEL DIODE COMPARATOR WITH CONTROLLED HYSTERESIS.TAN ZC; GRIFFITHS B.1975; PROC. I.E.E.E.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 63; NO 2; PP. 334-335; BIBL. 1 REF.Article

GENERATEUR MILLIMETRIQUE A FAIBLE BRUIT A INJECTION PAR EFFET TUNNEL.DELAGEBEAUDEUF D; MEIGNANT D.1975; DGRST-7470435; FR.; DA. 1975; PP. (46P.); H.T. 32; BIBL. 2 P.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)Report

DIODE TUNNELNISHIZAWA J.1975; OYO BUTURI; JAP.; DA. 1975; VOL. 44; NO 7; PP. 821-825; BIBL. 15 REF.Article

ETUDE EN TEMPS DES SYSTEMES REGENERATIFS NON LINEAIRES A ELEMENTS A PARAMETRES LOCALISES A L'AIDE D'UNE CALCULATRICEKHOTUNTSEV YU L; TAMARCHAK D YA; MARKOV YU I et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 12; PP. 108-111; BIBL. 3 REF.Article

TUNNEL-DIODE COMPARATOR WITH CONTROLLED HYSTERESIS.GHELFAN P.1974; NUCL. INSTRUM. METHODS; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 116; NO 3; PP. 611Article

ETUDE ET REALISATION DE JONCTIONS A EFFET TUNNEL SUR GERMANIUM SELON UNE TECHNIQUE COLLECTIVE PLANE.VRAHIDES M.1974; RAPP. C.E.A.; FR.; DA. 1974; NO 4509; PP. 1-78; ABS. ANGL.; BIBL. 2 P. 1/2Article

PRINCIPLES OF TRANSISTORSJOLLS KR; RIEDINGER RL.1973; CHEM. ENGNG; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 80; NO 1; PP. 121-128; BIBL. 3 REF.Serial Issue

COMPTEUR ANNULAIRE A DIODES TUNNEL ET A TRANSISTORSKLIMOV VV; SHARIPOV BG.1973; AVTOMAT. VYCHISLIT. TEKH.; LATV. S.S.R.; DA. 1973; NO 3; PP. 86-87; BIBL. 1 REF.Serial Issue

ELARGISSEUR D'IMPULSIONSVAKHRIN MI; SERGEEV VP.1973; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 2; PP. 114-115; BIBL. 2 REF.Serial Issue

TUNNEL DIODE FULL BINARY ADDER CIRCUITTAN ZC.1972; PROC. I.E.E.E.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 60; NO 10; PP. 1241; BIBL. 1 REF.Serial Issue

MULTITUDE D'ETATS STABLES D'UN SYSTEME DE 2 LIGNES A RETARD AVEC DIODES TUNNELBAEV G.1972; IZVEST. INST. ELEKTRON., SOFIJA; BALG.; DA. 1972; VOL. 5; PP. 109-120; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 4 REF.Serial Issue

FIELD-INDUCED TUNNEL DIODE IN INDIUM ANTIMONIDE.MARGALIT S; SHAPPIR J; KIDRON I et al.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 9; PP. 3999-4001; BIBL. 7 REF.Article

GENERAL PURPOSE OSCILLOSCOPE TRIGGERING. ECONOMIC, SIMPLETO-USE CIRCUITS.WAUGH P.1975; ELECTRON. ENGNG; G.B.; DA. 1975; VOL. 47; NO 567; PP. 57-59Article

COMPARATEUR DE TENSION A 3 ETATS STABLESKOVAL'KOV VI; FILIPSKIJ YU K.1975; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 3; PP. 163-164; BIBL. 3 REF.Article

GENERATEUR POUR LE RELEVE DES CARACTERISTIQUES VOLT AMPERE DES STRUCTURES TUNNELONDRIS L; STOFANIK F; NAGY L et al.1975; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 7; PP. 576-580; BIBL. 1 REF.Article

ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'EFFET PELLICULAIRE DANS LA COUCHE METALLIQUE SUR LES PROCESSUS ONDULATOIRES DANS UNE DIODE TUNNEL DISTRIBUEEELENSKIJ VG; POLYAKOV IV.1974; VEST. MOSKOV. UNIV., 3; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 15; NO 3; PP. 309-315; BIBL. 7 REF.Article

MODIFICATION DU SCHEMA DU CONFORMATEUR D'IMPULSIONS D'UNE DUREE DE NANOSECONDESRUDENKO AA.1974; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 3; PP. 119-120; BIBL. 3 REF.Article

S-BAND TUNNEL DIODE AMPLIFIER.SHARMA ML.1973; J. INSTIT. ELECTRON. TELECOMMUNC. ENGRS; INDIA; DA. 1973; VOL. 19; NO 10; PP. 545-548; BIBL. 4 REF.Article